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9月19日下午，由北京市工商聯(lián)、通州區人民政府聯(lián)合舉辦的2025北京民營(yíng)企業(yè)百強發(fā)布會(huì )于北京國際財富中心紫金廳盛大啟幕。此次發(fā)布會(huì )旨在深入貫徹落實(shí)習近平總書(shū)記在民營(yíng)企業(yè)座談會(huì )上的重要講話(huà)精神，助推首都民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。全國工商聯(lián)、北京市委統戰部、北京市工商聯(lián)、通州區政府相關(guān)領(lǐng)導，以及業(yè)界專(zhuān)家、入圍企業(yè)代表齊聚一堂，共同見(jiàn)證這一標志著(zhù)北京民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的重要時(shí)刻。會(huì )上，備受矚目的“2025北京民營(yíng)企業(yè)百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)科技創(chuàng )新百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)文化產(chǎn)業(yè)百強”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”榜單，以及“2025北京民營(yíng)企業(yè)優(yōu)秀投資案例”、“2025北京民營(yíng)企業(yè)社會(huì )責任優(yōu)秀案例”名單正式發(fā)布。鴻遠電子憑借在市場(chǎng)表現、技術(shù)創(chuàng )新與運營(yíng)實(shí)力上構筑的綜合競爭力，成功榮登“北京民營(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”榜單，并一舉斬獲第四名，成為首都民營(yíng)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的典型代表。  公司董事會(huì )秘書(shū)、財務(wù)總監李永強代表公司參加發(fā)布會(huì )，并上臺領(lǐng)受榮譽(yù)牌匾?！氨本┟駹I(yíng)企業(yè)專(zhuān)精特新百強”是今年新設立的獎項，以北京市“專(zhuān)精特新”企業(yè)作為參評范圍，以企業(yè)2024年度經(jīng)營(yíng)情況、產(chǎn)業(yè)發(fā)展定位、從事行業(yè)年限、研發(fā)創(chuàng )新能力等為核心指標，同時(shí)綜合考量企業(yè)依法合規經(jīng)營(yíng)、誠實(shí)守信等方面的表現，根據對核心指標與輔助指標的量化賦值，最終確定入圍企業(yè)名單。在此次評選中，鴻遠電子憑借在專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的深厚沉淀榮登榜單前列，這份榮譽(yù)不僅是對企業(yè)過(guò)往堅守實(shí)業(yè)發(fā)展、堅持科技創(chuàng )新的高度認可，更堅定了企業(yè)深耕主業(yè)、追求卓越的信心。展望未來(lái)，鴻遠電子將繼續牢記“實(shí)業(yè)報國”的初心使命，堅定地向“新”而行、向“高”攀登，在推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步、助力首都經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展的進(jìn)程中，持續貢獻更多力量。

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介硅電容器（Silicon Capacitors）是一種基于半導體制造工藝，融合了MOS工藝與MEMS技術(shù)，通過(guò)微納米級結構設計制造的電子元件，它突破了傳統MLCC和SLCC的性能邊界，為射頻微波電路、高性能數字IC、精密模擬電路等對電子元器件性能、穩定性和集成度要求極高的應用場(chǎng)景提供了新的電容解決方案。硅電容按內部結構特點(diǎn)可分為2D硅電容器和3D硅電容器。2D硅電容器是一種以高摻雜硅作為電極和基底，通過(guò)化學(xué)氣相沉積或熱氧化在其表面生成介質(zhì)層的電容器。3D硅電容器是在2D硅電容器基礎上，為了突破二維平面限制、追求更高容量密度而發(fā)展起來(lái)的具備特殊三維結構的產(chǎn)品。通過(guò)利用半導體微加工技術(shù)（特別是深硅刻蝕等MEMS技術(shù)）在硅襯底上制造出三維立體結構，從而增加介質(zhì)層的有效面積來(lái)顯著(zhù)提升單位面積內的電容量。二、產(chǎn)品特點(diǎn)與傳統電容器（如MLCC、鉭電容）相比，硅電容具有以下顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)：?  超高精度：介質(zhì)層是通過(guò)CVD或熱生長(cháng)形成的，厚度和成分非常均勻，電容值由面積和介質(zhì)厚度決定，因此電容器的容值偏差可以做到非常?。蛇_±0.1%或更高）。?  高溫度穩定性：硅電容產(chǎn)品采用氮化硅或二氧化硅作為介質(zhì)材料，在-55℃～150℃的溫度范圍內，溫度系數僅為±100ppm/℃。?  優(yōu)異的高頻特性：硅電容使用的介質(zhì)材料和結構特點(diǎn)，使其具有很低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL），其在很寬的頻率范圍內保持容量的穩定性。 ?  高長(cháng)期可靠性：硅電容采用半導體薄膜工藝，可保證介質(zhì)致密性與均勻性，電容器長(cháng)期可靠性、批次一致性?xún)?yōu)異。?  高容量密度：3D硅電容通過(guò)在垂直方向上構建三維結構（如深溝槽等），極大地增加電極的有效面積，單位面積電容量較2D硅電容器可提升10～100倍，實(shí)現進(jìn)一步小型化的同時(shí)保留了上述高精度、高穩定性、優(yōu)異的高頻性能和高穩定性的特點(diǎn)。三、應用領(lǐng)域?  高端通信設備：5G基站、射頻功放、光模塊、網(wǎng)絡(luò )設備等中的射頻電路和高速數字處理單元。?  汽車(chē)電子：電動(dòng)汽車(chē)和智能駕駛系統，如發(fā)動(dòng)機控制單元、車(chē)載信息娛樂(lè )系統、高級駕駛輔助系統（ADAS）、激光雷達（LiDAR） 等對溫度和可靠性要求高的場(chǎng)合。?  工業(yè)與醫療電子：工業(yè)自動(dòng)化控制系統、醫療設備（特別是植入式醫療設備），這些應用對元件的長(cháng)期穩定性和可靠性有極致要求。?  航空航天與國防：用于航空電子系統、飛機發(fā)動(dòng)機控制等對溫度穩定性要求較高的電路中。四、產(chǎn)品結構和電極形式公司硅電容分為2D硅電容和3D硅電容，采用在二維平面結構或具有溝槽結構的三維立體結構上沉積介質(zhì)材料，并覆蓋金電極作為引出端，形成可金絲鍵合的微組裝用硅電容或表面貼裝（SMT）用硅電容。1、硅電容器內部結構 2、2D硅電容產(chǎn)品電極形式 3、3D硅電容產(chǎn)品電極形式五、產(chǎn)品典型容值范圍1、2D硅電容典型容值范圍產(chǎn)品系列尺寸（mm）容量（pF）122334710022047010001500D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270G系列0.254*0.7620.508*1.2700.762*2.0321.016*2.0321.270*2.0322、3D硅電容典型容值范圍產(chǎn)品系列尺寸（mm）容量（pF）100022004700100002200047000100000D系列0.254*0.2540.508*0.5080.762*0.7621.016*1.0161.270*1.270H系列0.400*0.2000.600*0.3001.000*0.5001.600*0.8002.000*1.250六、質(zhì)量保證基于硅電容產(chǎn)品特點(diǎn)，公司結合多年電容器開(kāi)發(fā)、供貨經(jīng)驗，制定了一整套質(zhì)量保證方案。包括其介質(zhì)層的質(zhì)量評估、產(chǎn)品一致性評估、產(chǎn)品測試分選、壽命評估等。在生產(chǎn)、供貨過(guò)程中，主要開(kāi)展的檢驗項目如下：檢驗階段檢驗項目主要項目產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段基礎性能評估容量、損耗角正切、耐壓等結構分析膜層結構、膜層致密性等可靠性評估溫度沖擊、穩態(tài)濕熱、耐焊接熱、靜電放電、高溫壽命生產(chǎn)過(guò)程結構分析膜層結構電性能測試分選容量、損耗角正切、耐壓等外觀(guān)測試分選表面缺陷，邊緣缺陷等七、產(chǎn)品安裝方式硅電容適配打線(xiàn)和SMT貼片安裝工藝，可與各類(lèi)半導體器件良好兼容，安裝示意圖如下。八、小結硅電容器并非要取代傳統的MLCC，而是作為一種高性能、高穩定性電容器的補充技術(shù)，在特定的高端應用領(lǐng)域，尤其是需要與半導體芯片集成的場(chǎng)景中，發(fā)揮著(zhù)重要作用。公司深耕電容領(lǐng)域數十年，對電容產(chǎn)品有著(zhù)深入的理解，公司擁有完善的電容制造以及可靠性檢驗設備和資質(zhì)。公司基于對介電材料的認識和電容器應用的積累，開(kāi)發(fā)了系列化的硅電容產(chǎn)品，為客戶(hù)在高頻、高穩定性電路領(lǐng)域應用提供更優(yōu)的產(chǎn)品解決方案。 

2025年9月3日上午9時(shí)，中國人民抗日戰爭暨世界反法西斯戰爭勝利80周年紀念大會(huì )隆重舉行。中共中央總書(shū)記、國家主席、中央軍委主席習近平發(fā)表重要講話(huà)，深切回顧歷史、致敬英烈，宣示和平?jīng)Q心、凝聚奮進(jìn)力量，在全國人民心中激起強烈共鳴。 閱兵揚威 雄獅亮劍在萬(wàn)眾矚目的閱兵式上，習近平總書(shū)記乘檢閱車(chē)沿長(cháng)安街前行，檢閱受閱部隊，并向官兵致以“同志們好!”、“同志們辛苦了!”的親切問(wèn)候，飽含了對廣大官兵的深情關(guān)懷與對人民軍隊的高度肯定。分列式中，一支支威武之師步伐鏗鏘、氣勢如虹，每一步都踏在民族復興的堅定節拍上；一批批自主研發(fā)的新型裝備依次亮相，展現出國防和軍隊現代化建設的重大成就，每一件都彰顯著(zhù)祖國強大的硬核實(shí)力。 盛典在目 榮光于心在這莊嚴的歷史時(shí)刻，鴻遠電子副董事長(cháng)鄭小丹榮幸受邀到現場(chǎng)觀(guān)禮。這份殊榮，不僅屬于她個(gè)人，更體現了黨和國家對鴻遠電子長(cháng)期以來(lái)堅守實(shí)業(yè)、深耕國防建設的充分肯定，這也令公司全體員工倍感振奮與鼓舞。今天，公司組織全國各地鴻遠人同步觀(guān)看大會(huì )直播。在北京總部，公司董事長(cháng)及各級領(lǐng)導干部、黨員群眾、員工代表齊聚一堂，共同觀(guān)看。直播正式開(kāi)始前，鄭紅董事長(cháng)進(jìn)行動(dòng)員講話(huà)，他請全體員工務(wù)必銘記歷史，從歷史中汲取奮進(jìn)力量。同時(shí)他認為，此次閱兵是中國向全世界作出的莊嚴宣告，在中國共產(chǎn)黨的領(lǐng)導下，中國人民實(shí)現了從站起來(lái)到強起來(lái)的偉大跨越，彰顯出全國人民捍衛國家主權、維護國家利益與尊嚴，保衛世界和平的堅定決心和強大底氣。他還表示，鴻遠電子幾十年來(lái)作為國防事業(yè)發(fā)展的積極參與者，諸多產(chǎn)品已廣泛應用于眾多大國重器中，這離不開(kāi)每一位鴻遠人的智慧與心血，也是我們的自豪與榮耀！最后，鄭紅董事長(cháng)特別強調：未來(lái)，鴻遠電子將繼續毫無(wú)保留地投身國家的國防建設事業(yè)，為了民族的復興，國家的強盛，竭盡全力為國家貢獻一切力量。同時(shí)，我個(gè)人愿在國家需要時(shí)，無(wú)條件地將屬于自己的一切，全部奉獻給國家。   蘇州會(huì )場(chǎng)集中觀(guān)看直播 成都會(huì )場(chǎng)集中觀(guān)看直播 合肥會(huì )場(chǎng)集中觀(guān)看直播 銘記歷史 揚我國威大會(huì )開(kāi)始前，公司黨總支專(zhuān)門(mén)組織全體黨員開(kāi)展 “銘記歷史 · 揚我國威” 主題學(xué)習教育活動(dòng)，以此深切緬懷為民族獨立與解放英勇獻身的革命先烈?；顒?dòng)中，大家深入回顧抗戰時(shí)期艱苦卓絕的奮斗歷程，重溫革命先輩的英雄事跡，深刻感悟初心使命。通過(guò)學(xué)習，全體黨員從偉大抗戰精神中汲取奮進(jìn)力量，愛(ài)國主義情懷與崗位責任意識進(jìn)一步增強，凝聚起恪盡職守、奮發(fā)作為的擔當共識，更堅定了新時(shí)代立足本職、報效國家的堅定決心。 榮譽(yù)見(jiàn)證 擔當奮進(jìn)當我國自主研發(fā)的現役主戰裝備駛過(guò)天安門(mén)，鴻遠人心中熱血沸騰，這是人民軍隊新一代武器裝備的集中亮劍，是祖國國防實(shí)力的生動(dòng)見(jiàn)證。更令人自豪的是，這些捍衛國家主權、彰顯大國底氣的“重器”背后，也都凝結著(zhù)我們鴻遠人的智慧與汗水！此刻，研發(fā)室里的潛心鉆研、生產(chǎn)線(xiàn)上的精益求精、實(shí)驗臺前的反復推敲，所有平凡的堅持，都被賦予了更深刻的意義。熒幕前，大家神情專(zhuān)注、心潮澎湃，手中的國旗與臉上的自豪相互映照。這不僅是一次閱兵觀(guān)禮，更是一次直抵人心的精神洗禮。大家由衷地表示，要把這一刻的震撼與感動(dòng)化為奮進(jìn)的力量，把對祖國的熱愛(ài)、對使命的擔當，融入每一次服務(wù)保障的堅守中，用我們的方式，繼續守護這份光榮與夢(mèng)想。 實(shí)業(yè)報國 奮起新程鴻遠電子自成立之日起，便將實(shí)業(yè)報國的初心融入血脈。數十年來(lái)深耕電子元器件領(lǐng)域，以科技創(chuàng )新賦能發(fā)展，我們用日復一日的拼搏，努力踐行著(zhù)“國家的需要，就是企業(yè)的使命”這一堅定信念。八十載風(fēng)雨兼程，復興之路步履鏗鏘。這場(chǎng)舉世矚目的盛大活動(dòng)，是對抗戰勝利的隆重致敬，是對革命先烈的深切緬懷，更是對和平發(fā)展的莊嚴宣誓。站在新的歷史起點(diǎn)，鴻遠電子將始終與祖國同呼吸、共命運，銘記歷史、開(kāi)創(chuàng )未來(lái)，以更前沿的技術(shù)、更可靠的產(chǎn)品，為服務(wù)新時(shí)代國家戰略、服務(wù)國防建設貢獻更多鴻遠力量。 

多層片式瓷介電容器作為電子工業(yè)不可或缺的核心基礎元器件，在電子電路中起濾波、耦合、隔直、旁路等關(guān)鍵作用。作為適用于高密度微組裝工藝的多層芯片瓷介電容器，以其微型化尺寸、高容量密度、低等效串聯(lián)電阻（ESR）及低等效串聯(lián)電感（ESL）等顯著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢，在現代電子系統中扮演著(zhù)重要的角色，其戰略?xún)r(jià)值日益突顯。在高可靠性應用領(lǐng)域，如電子對抗、雷達系統、導航制導及衛星通信等關(guān)鍵系統中，多層芯片瓷介電容器憑借其卓越性能獲得廣泛應用。在民用及工業(yè)應用領(lǐng)域，其應用前景同樣極為廣闊，目前已經(jīng)廣泛應用于5G通信基礎設施、高速光通信模塊、激光雷達等前沿技術(shù)領(lǐng)域。隨著(zhù)射頻微波通信技術(shù)、雷達、電子站、光通信技術(shù)、精密測量?jì)x器以及自動(dòng)駕駛等高端產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，現代電子設備對小型化、輕量化、高集成度的追求日趨迫切。特別是在光通信組件集成化與汽車(chē)雷達小型化的強勁需求牽引下，市場(chǎng)對超微型多層芯片瓷介電容器的需求日益旺盛。為響應這一行業(yè)趨勢，元六鴻遠公司依托技術(shù)創(chuàng )新，成功研制出012012尺寸多層芯片瓷介電容器，尺寸代碼012012（0.30mm×0.30mm）。該系列產(chǎn)品在關(guān)鍵的產(chǎn)品尺寸與電容量等核心性能指標上實(shí)現了突破性進(jìn)展，有效解決了微型化與高容值兼顧的技術(shù)難題。目標在于為新一代高度小型化的通信設備提供性能更優(yōu)、體積更小、可靠性更高的芯片電容解決方案，為電子信息技術(shù)向更微型、更智能的方向持續演進(jìn)提供有力技術(shù)支撐。元六鴻遠多層芯片瓷介電容器產(chǎn)品，自面市以來(lái)憑借優(yōu)異的性能和可靠性，贏(yíng)得了市場(chǎng)的廣泛認可。為積極響應電子產(chǎn)品日益小型化、高集成化的發(fā)展要求，滿(mǎn)足客戶(hù)對更小尺寸、更高容量的迫切需求，我司在現有成熟產(chǎn)品015015（0J0J）規格（0.38mm×0.38mm×0.30mm）基礎上，成功開(kāi)發(fā)并推出全新012012（0G0G）規格（0.30mm×0.30mm×0.20mm）超小型多層芯片瓷介電容器。此次推出的012012多層芯片瓷介電容器，其產(chǎn)品體積由015015規格的0.043mm3大幅縮減至0.018mm3，體積降幅高達約58%。該產(chǎn)品的成功研制，進(jìn)一步拓展了國內外超小型多層芯片瓷介電容器的尺寸范圍，實(shí)現了顯著(zhù)的技術(shù)突破，可為國內外客戶(hù)提供新的超小尺寸多層芯片瓷介電容器解決方案。以1000pF規格為例，012012多層芯片瓷介電容器相較于原有015015、0202尺寸實(shí)物對比如下：元六鴻遠CT41A（MA）系列012012超小型多層芯片瓷介電容器的研發(fā)成果，標志著(zhù)公司在多層芯片瓷介電容器領(lǐng)域達到行業(yè)領(lǐng)先水平，超小芯片電容產(chǎn)品工藝平臺日趨成熟，為下游客戶(hù)開(kāi)發(fā)更前沿、更精密的電子產(chǎn)品提供了核心元器件支持！

隨著(zhù)射頻&微波通信、雷達探測、電子對抗、光通信等高端技術(shù)的蓬勃發(fā)展，對電子通信系統提出了更高速率、更廣覆蓋范圍和更低延遲量的要求，因此射頻電路要不斷提升功率密度、工作頻率等關(guān)鍵指標，要求器件要向更高工作電壓、更高工作溫度的方向迭代發(fā)展，以應對更大功率的要求。對射頻電路中使用的各類(lèi)電子元器件，特別是瓷介電容器產(chǎn)品帶來(lái)了新的挑戰。元六鴻遠作為高可靠瓷介電容器領(lǐng)域的核心廠(chǎng)家，多年來(lái)深耕于電子陶瓷領(lǐng)域，積極布局和開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，為各類(lèi)新的應用場(chǎng)景提供技術(shù)解決方案。針對射頻器件在大功率方向的發(fā)展需求，元六鴻遠通過(guò)陶瓷材料和產(chǎn)品工藝的攻關(guān)，在產(chǎn)品技術(shù)上取得了顯著(zhù)的進(jìn)步，現推出CT41A系列2D0特性【-55℃~+150℃】芯片電容器，該系列產(chǎn)品在工作溫度和工作電壓等關(guān)鍵性能指標上實(shí)現了關(guān)鍵突破，可為新一代通信設備、雷達、電子對抗等領(lǐng)域提供更可靠、更優(yōu)異的芯片電容器解決方案。                                      滿(mǎn)足GJB548B-2005鍵合和抗剪強度測試方法，并且通過(guò)了150?C-1.5UR-1000h高溫壽命考核、2.5UR介質(zhì)耐壓測試等嚴苛測試，充分驗證了其在高溫、高壓環(huán)境下的長(cháng)期可靠性，能夠更好適用高溫高壓工作環(huán)境。目前可提供的質(zhì)量等級包括G、J、M級。同時(shí)，2D0特性芯片電容器提供多種尺寸規格，并可根據客戶(hù)的特殊需求提供定制化產(chǎn)品。適用于電子裝備（雷達、電子對抗）；通信設備（射頻模塊、光通信收發(fā)模組、微波毫米波電路）；汽車(chē)電子（符合AEC-Q200標準、車(chē)載激光雷達）；工業(yè)設備（測量設備）等高可靠應用場(chǎng)景。除CT41A系列產(chǎn)品外，針對微組裝應用場(chǎng)景，元六鴻遠還可提供單層芯片瓷介電容器、金端多層瓷介電容器、硅基電容器、薄膜芯片電阻器、阻容網(wǎng)絡(luò )、薄膜電路、DPC陶瓷基板、熱沉等多品類(lèi)、系列化的產(chǎn)品和解決方案，滿(mǎn)足客戶(hù)多種應用場(chǎng)景需求。未來(lái)，元六鴻遠將繼續發(fā)揮在電子陶瓷元器件領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，針對客戶(hù)的應用場(chǎng)景需求，開(kāi)拓創(chuàng )新，以更先進(jìn)的產(chǎn)品為客戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)、高效的技術(shù)解決方案。